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力成全球首座面板级封装制程量产基地预计2020年上半年完工 总投资达新台币500亿元

钽电容向设计工程师提供紧致、高性能的电子电路，以及具有稳定性能的可靠高容值解决方案。钽电容过去一直受到设计工程师的青睐并得到广泛应用，如大容量能量储存、滤波和退耦。钽电容技术进步包括聚合物阴极系统的成熟，导致了有效串联电阻(ESR)降低、封装密度的显著改进，以及有效串联电感(ESL)的减小。我们将在本文中考察这些进展对钽电容性能的影响。

钽电容的使用迄今已接近60年，它以长期可靠性和容值密度而著称。钽电容在军用和商用航空电子、可植入医疗电子、笔记本电脑、智能手机及工业自动化和控制系统设计中居于中心地位。

双创新技术：高可靠性钽电容之轻、廉化壳阴极的研发与产业化

钽电容受欢迎的主要因素是其体积效率产生的高单位体积容值。容值公式如下：

凭借极大的表面面积、高介电常数和相对较薄的电介质层，钽电容可在1µF至2,200µF容值范围内和最大50 V外加电压条件提供最佳的容值密度。

高级钽粉和高效率封装的结合使钽电容领先于替代技术。例如，目前的钽电容能够以0402外壳尺寸在4V充电电压下提供22µF容值。在电压范围的另一端，我们可找到采用单个封装，在50V充电电压下提供47µF容值的钽电容。

传统钽电容的阴极系统使用二氧化锰(MnO2)材料。这种半导体材料提供自愈机制(这可带来长期稳定性)且相对便宜。但其富氧配方在高热的极端环境中容易导致起火。自上世纪90年代中期以来，导电聚合物技术趋于成熟，从而与MnO2产品形成互补。由于导电率显著高于MnO2，导电聚合物可降低ESR。这一进展与消除敏感应用中的起火危险相结合，推动了相关企业对这种技术的投资。

制造商提供种类广泛的钽电容产品系列，它们针对各种具体特征进行优化，并瞄准不同的应用和细分市场。这些不同的产品系列提供的优化包括更低的ESR、更小的尺寸、高可靠性(面向军用、汽车和医疗应用)、更小的直流漏电流、更低的ESL和更高的工作温度。本文侧重其中两个领域：更低的ESR和更小的尺寸。

●更低的ESR – 为实现最低ESR而优化，这些器件在脉冲或交流应用中提供更高的效率，在高噪声环境中提供更出色的滤波性能。